原生多晶硅 又名：多晶硅

　　物理性質(zhì)

　　具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時(shí)顯出明顯變形。

　　化學(xué)性質(zhì)

　　常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。

　　應(yīng)用

　　具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下反應(yīng)（氯化），再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。 多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，用于（是）半導(dǎo)體行業(yè)和太陽能。從目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。

　　多晶硅技術(shù)指標(biāo)：電阻率》100Ω·cm（N型），電阻率》1000Ω·cm（P型）；少子壽命》25μs;C《1ppma.